[发明专利]一种晶体管器件以及电子设备有效
| 申请号： | 201811424390.X | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109346527B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;王河深 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管器件以及电子设备。该晶体管器件包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；源漏极层包括彼此间隔设置的源极和漏极；源极覆盖部分有源层以及部分栅极绝缘层；漏极覆盖部分有源层以及部分栅极绝缘层；源极在栅极绝缘层上的垂直投影与漏极在栅极绝缘层上的垂直投影不重合；栅极绝缘层包括电解质；晶体管器件还包括保护层；保护层位于源极和栅极绝缘层之间；和/或，保护层位于漏极和栅极绝缘层之间。本发明提供的晶体管器件可以提高晶体管器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 器件 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，其特征在于，包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源漏极层；所述源漏极层包括彼此间隔设置的源极和漏极；所述源极覆盖部分所述有源层以及部分所述栅极绝缘层；所述漏极覆盖部分所述有源层以及部分所述栅极绝缘层；所述源极在所述栅极绝缘层上的垂直投影与所述漏极在所述栅极绝缘层上的垂直投影不重合；所述栅极绝缘层包括电解质；所述晶体管器件还包括保护层；所述保护层位于所述源极和所述栅极绝缘层之间；和/或，所述保护层位于所述漏极和所述栅极绝缘层之间。
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