[发明专利]在基板中嵌入磁结构的方法在审
| 申请号： | 201811424485.1 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979916A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | S.瓦德拉马尼;P.查特杰;R.A.梅伊;R.S.贾因;L.A.林克;A.J.布朗;K.O.李;S.C.李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了形成嵌入式感应器结构的方法/结构。实施例包括：在基板的介电材料上形成第一互连结构；在第一互连结构的表面上选择性地形成磁性材料；在磁性材料中形成开口；以及在开口中形成第二互连结构。然后在磁性材料上形成堆积层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性材料 互连结构 基板 开口 感应器结构 方法描述 介电材料 磁结构 堆积层 嵌入式 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种微电子封装结构，包括：包括介电材料的基板；在所述介电材料内的第一互连结构；磁性材料，其中所述磁性材料的第一侧面在所述第一互连结构的第一侧面上；以及在所述磁性材料内的第二互连结构，其中：所述第二互连结构的第一侧面在所述第一互连结构的第一侧面上；以及所述第二互连结构的第二侧面与所述磁性材料的第二侧面是共面的。
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