[发明专利]多相半桥驱动器封装以及制造方法有效
申请号: | 201811424992.5 | 申请日: | 2018-11-27 |
公开(公告)号: | CN109841598B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 张超发;谢征林;W.H.古;A.库切尔;龙登超 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/49;H01L25/07;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孙鹏;申屠伟进 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体封装包括:多个半桥组件,每一个包括:金属引线、附着至金属引线的第一侧的第一功率晶体管管芯、以及设置在第一功率晶体管管芯下面且附着至与第一侧相对的金属引线的第二侧的第二功率晶体管管芯。每个金属引线具有缺口,其暴露在第二功率晶体管管芯的附着至金属引线的一侧处的一个或多个结合焊盘。该半导体封装还包括:控制器管芯,其被配置成控制功率晶体管管芯。每个功率晶体管管芯、每个金属引线和控制器管芯被嵌入模塑料中。在由对应金属引线中的缺口所暴露的每个第二功率晶体管管芯的该侧处的一个或多个结合焊盘和控制器管芯之间提供结合线连接。 | ||
搜索关键词: | 多相 驱动器 封装 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:多个半桥,每个包括设置在第二功率晶体管管芯上的第一功率晶体管管芯;附着至每个半桥的第一功率晶体管管芯的底侧以及第二功率晶体管管芯的顶侧的单独的第一金属引线;附着至每个半桥的第一功率晶体管管芯的顶侧的单独的或单个第二金属引线;以及模塑料,其中嵌入每个半桥和每个金属引线,其中每个第一金属引线从模塑料的侧面突出以形成半桥输出端子,其中每个第二金属引线从模塑料的侧面突出以形成第一半桥功率端子,其中每个半桥的第二功率晶体管管芯的底侧的至少一部分没有被在模塑料的第一主面处的模塑料覆盖以形成第二半桥功率端子,其中每个第二金属引线的至少一部分没有被在与第一主面相对的模塑料的第二主面处的模塑料覆盖。
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