[发明专利]CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法

摘要

本发明涉及金刚石生长的技术领域，特别是涉及一种CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其可以减少单晶金刚石生长过程中边缘多晶金刚石的出现，减少对单晶金刚石表面有效面积的影响；包括以下步骤：（1）清洁单晶金刚石晶种衬底；（2）烘干单晶金刚石晶种衬底；（3）导电银浆配制；（4）粘贴金刚石晶种衬底；（5）前处理；（6）金刚石生长；（7）检测。

主权项

1.一种CVD单晶金刚石消除边缘多晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）清洁单晶金刚石晶种衬底：将单晶金刚石晶种衬底放入清洗液中对其表面的有机物杂质进行清洗；（2）烘干单晶金刚石晶种衬底：将清洁完成后的单晶金刚石晶种衬底放入烘干机中，在60℃下进行烘干备用；（3）导电银浆配制：将78重量份数的银粉加热熔融，并向其中加入11重量份数的树脂、2重量份数的固化剂、1重量份数的促进剂、5重量份数的非活性稀释剂、1重量份数的活性稀释剂、1重量份数的附着力促进剂和1重量份数的防沉降剂，不断搅拌使其混合均匀；（4）粘贴金刚石晶种衬底：蘸取导电银浆涂覆在单晶金刚石晶种衬底上，并将涂覆导电银浆后的单晶金刚石晶种衬底通过导电银浆黏贴在微波等离子体化学气相沉积设备中的钼衬底托上表面；（5）前处理：将微波等离子体化学气相沉积设备中抽真空，并控制微波等离子体化学气相沉积设备将单晶金刚石晶种衬底温度升高至600‑800℃，对金刚石晶种衬底进行1‑2h的前处理；（6）金刚石生长：控制微波等离子体化学气相沉积设备将单晶金刚石晶种衬底温度升高至800‑1000℃，并向微波等离子体化学气相沉积设备中不断鼓入足量的二氧化碳气体生长2‑3d；（7）检测：金刚石生长完成后由微波等离子体化学气相沉积设备中取出，并清除其表面粘附的导电银浆，检测其边缘区域是否存在边缘多晶。