[发明专利]基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811427622.7 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109755697B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 朱樟明;曲晨冰;刘阳;刘晓贤;卢启军;尹湘坤 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20;H01P11/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器及其制备方法，制备方法包括：1.在第一半导体衬底上刻蚀硅通孔；2.在硅通孔的内表面制备环形介质层；3.在环形介质层内制备金属柱；4.在第一半导体衬底的上表面制备第一隔离层；5.在硅通孔以及第一隔离层的上表面制备第一金属分布层；6.在第一半导体衬底的下表面制备第二隔离层；7.在硅通孔以及第二隔离层的下表面制备第二金属分布层，从而形成第一单层集成波导腔体；8.依照步骤1～7，在第二半导体衬底上制备形成第二单层集成波导腔体；9.将第一单层集成波导腔体和第二单层集成波导腔体进行层间键合。通过这种方法，减小滤波器的片上面积，易于与硅衬底电路集成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅通孔 衬底 集成 折叠 波导 滤波器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在第一半导体衬底上刻蚀硅通孔；(b)在所述硅通孔的内表面制备环形介质层；(c)在所述环形介质层内制备金属柱；(d)在所述第一半导体衬底的上表面制备第一隔离层；(e)在所述硅通孔以及所述第一隔离层的上表面制备第一金属分布层；(f)在所述第一半导体衬底的下表面制备第二隔离层；(g)在所述硅通孔以及所述第二隔离层的下表面制备第二金属分布层，从而形成第一单层集成波导腔体；(h)依照步骤(a)～(g)，在第二半导体衬底上制备形成第二单层集成波导腔体；(i)将所述第一单层集成波导腔体和所述第二单层集成波导腔体进行层间键合，形成衬底集成折叠波导滤波器。
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