[发明专利]非易失性存储器装置、其操作方法及数据存储装置有效
| 申请号： | 201811428995.6 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110299181B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 金志烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/38 | 分类号： | G11C29/38 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李新娜;张晶 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列；外围电路，被配置为对存储器单元阵列执行与从外部装置提供的命令相对应的操作；失败发生寄存器，被配置为存储用于故意引起操作失败发生的失败发生信息；以及控制逻辑，被配置为：基于从外部装置接收的失败发生命令，将失败发生信息存储在失败发生寄存器中；控制外围电路对存储器单元阵列执行与从外部装置接收的测试操作命令相对应的测试操作；以及控制外围电路基于失败发生信息在测试操作中引起故意失败发生。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 操作方法 数据 存储 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列；外围电路，对所述存储器单元阵列执行与从外部装置提供的命令相对应的操作；失败发生寄存器，存储用于故意引起操作失败发生的失败发生信息；以及控制逻辑：基于从所述外部装置接收的失败发生命令，将失败发生信息存储在所述失败发生寄存器中；控制所述外围电路对所述存储器单元阵列执行与从所述外部装置接收的测试操作命令相对应的测试操作；以及基于所述失败发生信息，控制所述外围电路在所述测试操作中引起故意失败发生。
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