[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件包括：衬底；器件隔离膜，限定衬底的有源区，栅极沟槽在有源区中延伸；栅极绝缘膜，沿着栅极沟槽的侧面和底部设置；栅电极，设置在栅极沟槽中的栅极绝缘膜上，并且具有第一部、第一部上的第二部以及第二部上的第三部；第一阻挡膜图案，介于栅电极的第一部与栅极绝缘膜之间；第二阻挡膜图案，介于栅电极的第二部与栅极绝缘膜之间；以及第三阻挡膜图案，介于栅电极的第三部与栅极绝缘膜之间。第一阻挡膜图案的功函数大于第二阻挡膜图案的功函数并且低于第三阻挡膜图案的功函数。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底和限定所述衬底的有源区的器件隔离膜，所述有源区中具有栅极沟槽；栅极绝缘膜，沿着所述栅极沟槽的侧面和底部设置；栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上并且占据所述栅极沟槽中未被所述栅极绝缘膜占据的至少一部分，所述栅电极具有第一部、所述第一部上的第二部以及所述第二部上的第三部；第一阻挡膜图案，介于所述栅电极的第一部与所述栅极绝缘膜之间，所述第一阻挡膜图案具有第一功函数；第二阻挡膜图案，介于所述栅电极的第二部与所述栅极绝缘膜之间，所述第二阻挡膜图案具有第二功函数；第三阻挡膜图案，介于所述栅电极的第三部与所述栅极绝缘膜之间，所述第三阻挡膜图案具有第三功函数；其中，所述第一功函数大于所述第三功函数并且小于所述第二功函数。