[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201811432190.9 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109935683B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 金仁皓;李愚铉;权五益;金相局;金娟智;朴钟撤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H10N50/10 | 分类号: | H10N50/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体器件包括:顺序地堆叠在衬底上的第一下绝缘夹层、保护绝缘层和第一上绝缘夹层,以及穿透第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的导电图案。导电图案包括线部分和接触部分,线部分沿与衬底的上表面平行的方向延伸,接触部分从线部分朝衬底延伸。接触部分彼此分开且其间具有绝缘图案。绝缘图案包括第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的每个的一部分。绝缘图案的至少一部分具有台阶状的轮廓。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:衬底;顺序地堆叠在所述衬底上的第一下绝缘夹层、保护绝缘层和第一上绝缘夹层;以及穿透所述第一上绝缘夹层、所述保护绝缘层和所述第一下绝缘夹层的导电图案,其中所述导电图案包括线部分和接触部分,所述线部分沿与所述衬底的上表面平行的方向延伸,所述接触部分从所述线部分朝所述衬底延伸,其中所述接触部分彼此间隔开且其间具有绝缘图案,其中所述绝缘图案包括所述第一上绝缘夹层的一部分、所述保护绝缘层的一部分和所述第一下绝缘夹层的一部分,以及其中所述绝缘图案的至少一部分具有台阶状的轮廓。
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