[发明专利]基板处理装置、存储介质及基板研磨的响应特性的获取方法

摘要

本发明提供一种基板处理装置、存储介质、及基板研磨的响应特性的获取方法，能够通过简便的方法更准确地得到晶片等基板研磨的响应特性。基板处理装置具备：研磨头，该研磨头形成用于将晶片(W)按压于研磨垫(42)的多个压力室(D1～D5)；压力控制部，该压力控制部用于对该多个压力室的内部的力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；膜厚测定部，该膜厚测定部测定研磨中的晶片的膜厚分布；存储部，该膜厚测定部存储多个压力室中的设定压力的信息；及响应特性获取部，在晶片的研磨中每当满足规定条件时，该响应特性获取部变更设定压力并测定对于晶片的研磨率，基于得到的多个研磨率获取基板研磨对于压力反馈的响应特性。

主权项

1.一种基板处理装置，通过将基板按压于研磨垫而进行所述基板的研磨，所述基板处理装置的特征在于，具备：研磨头，所述研磨头形成用于按压所述基板的多个压力室；压力控制部，所述压力控制部用于对所述多个压力室内的压力进行彼此独立的控制，从而进行压力反馈控制；膜厚测定部，所述膜厚测定部对研磨中的所述基板的膜厚分布进行测定；存储部，所述存储部存储所述多个压力室中的设定压力的多个信息；及响应特性获取部，在所述基板的研磨中每当满足规定条件时，所述响应特性获取部变更所述设定压力并测定对于所述基板的研磨率，基于得到的多个研磨率，获取基板研磨对于所述压力室的压力反馈的响应特性。