[发明专利]一种基于低压闪蒸晶化的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种基于低压闪蒸晶化的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明在TiO₂致密层上旋涂卤化铅，在卤化铅薄膜上滴加卤化甲胺溶液后在低压条件下进行闪蒸晶化，从而得到钙钛矿薄膜。本发明的制备方法通过低压闪蒸诱导晶化，在低压下以更低的沸点将溶剂迅速蒸发干净，然后将钙钛矿的各种反应物以可控的速率析出，再根据奥斯瓦尔德熟化效应使晶粒之间互相吞并生长成大晶粒。与常规的“两步法”相比，本发明提供的制备方法得到的钙钛矿薄膜表面更加均匀平整，整个钙钛矿薄膜层晶化程度更高。

主权项

1.一种基于低压闪蒸晶化的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对FTO导电玻璃依次进行刻蚀、清洗、吹干和臭氧表面处理，得到预处理的FTO导电玻璃；(2)在所述预处理的FTO导电玻璃的刻蚀面旋涂TiO2致密层溶液后进行退火，形成TiO2致密层；(3)在所述TiO2致密层表面旋涂卤化铅溶液后干燥，形成卤化铅薄膜；(4)在所述卤化铅薄膜上滴加卤化甲胺溶液后依次进行静置、甩胶和低压闪蒸晶化，形成钙钛矿薄膜；所述低压闪蒸晶化的压力为10～200Pa，温度为90～110℃，时间为10～25min；(5)在所述钙钛矿薄膜上依次制备空穴传输层和金属电极，得到钙钛矿薄膜光电器件。