[发明专利]用于形成半导体器件结构的接合工艺有效
| 申请号： | 201811434525.0 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109928358B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张智杭;王乙翕;刘人豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成半导体器件结构的方法。方法包括接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆。方法还包括在第一晶圆中形成凹槽，且凹槽沿基本平行于所述预定管芯区域中一个预定管芯区域的边缘的方向延伸。方法还包括接收第二晶圆。另外，该方法包括在形成凹槽之后在升高的温度下接合第一晶圆和第二晶圆。本发明实施例涉及用于形成半导体器件结构的接合工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 结构 接合 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：接收具有多个预定管芯区域的第一晶圆；在所述第一晶圆中形成凹槽，其中，所述凹槽在平行于所述预定管芯区域中的一个预定管芯区域的边缘的方向上延伸；接收第二晶圆；以及在形成所述凹槽之后，接合并加热所述第一晶圆和所述第二晶圆。
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