[发明专利]用于光刻图案化的方法有效
| 申请号： | 201811435002.8 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109960106B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨承翰;吴宗翰;张致玮;林欣玫;谢翊群;张晞砚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 方法包括在衬底上沉积目标层；通过将离子注入到目标层中来减少入射到目标层上的光的反射，从而产生离子注入的目标层；在离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；使用光刻工艺将光刻胶层暴露于光，其中目标层在光刻工艺期间减少在离子注入的目标层和光刻胶层之间的界面处的光的反射；显影光刻胶层以形成光刻胶图案；用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻离子注入的目标层；使用至少蚀刻的离子注入的目标层作为工艺掩模处理衬底；以及去除蚀刻的离子注入的目标层。本发明的实施例还涉及用于光刻图案化的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于光刻图案化的方法，包括：在衬底上沉积目标层；通过将离子注入到所述目标层中来减少入射到所述目标层上的光的反射，从而产生离子注入的目标层；在所述离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；使用光刻工艺将所述光刻胶层暴露于所述光，其中，所述目标层在所述光刻工艺期间减少在所述离子注入的目标层和所述光刻胶层之间的界面处的所述光的反射；显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案；用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述离子注入的目标层；使用至少蚀刻的离子注入的目标层作为工艺掩模处理所述衬底；以及去除蚀刻的离子注入的目标层。
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