[发明专利]肖特基势垒晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811436193.X | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109671780B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 罗军;毛淑娟;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基势垒晶体管及其制备方法。该肖特基势垒晶体管包括衬底以及位于衬底上的栅极结构，肖特基势垒晶体管还包括：沟道区，位于与栅极结构对应的衬底表面上，沟道区包括第一金属硅化物层；源漏区，包括位于沟道区两侧的第二金属硅化物层和第三金属硅化物层，第二金属硅化物层位于衬底中，第三金属硅化物层位于与第二金属硅化物层对应的衬底表面，且第二金属硅化物层的功函数小于第三金属硅化物层的功函数。该肖特基势垒晶体管具有高迁移率沟道，从而能够提升器件开态电流，且还能够减小晶体管的关态电流，从而提升了器件的电流开关比。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基势垒晶体管，包括衬底(10)以及位于所述衬底(10)上的栅极结构，其特征在于，所述肖特基势垒晶体管还包括：沟道区，位于与所述栅极结构对应的所述衬底(10)表面上，所述沟道区包括第一金属硅化物层(20)；源漏区，包括位于所述沟道区两侧的第二金属硅化物层(60)和第三金属硅化物层(90)，所述第二金属硅化物层(60)位于所述衬底(10)中，所述第三金属硅化物层(90)位于与所述第二金属硅化物层(60)对应的所述衬底(10)表面，且所述第二金属硅化物层(60)的功函数小于所述第三金属硅化物层(90)的功函数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811436193.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
