[发明专利]多层薄膜结构的形成方法及多层薄膜结构在审
| 申请号： | 201811438487.6 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109559976A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 李众;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种多层薄膜结构的形成方法及多层薄膜结构。所述多层薄膜结构的形成方法包括如下步骤：形成第一膜层；形成过渡层于所述第一膜层表面，所述过渡层包括沿垂直于所述第一膜层的方向交替堆叠、且通过化学键结合的第一过渡膜和第二过渡膜；形成第二膜层于所述过渡层表面；所述第一过渡膜、所述第二过渡膜的材料分别与所述第一膜层、所述第二膜层相同，且所述第一过渡膜与所述第二过渡膜之间无界面，以减小所述第一膜层与所述第二膜层之间的界面应力。本发明有效降低了第一膜层与第二膜层间的界面应力，改善了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 第一膜层 过渡膜 多层薄膜结构 膜层 界面应力 过渡层 半导体制造技术 半导体器件 过渡层表面 化学键结合 交替堆叠 减小 良率 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种多层薄膜结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：形成第一膜层；形成过渡层于所述第一膜层表面，所述过渡层包括沿垂直于所述第一膜层的方向交替堆叠、且通过化学键结合的第一过渡膜和第二过渡膜；形成第二膜层于所述过渡层表面；所述第一过渡膜、所述第二过渡膜的材料分别与所述第一膜层、所述第二膜层相同，且所述第一过渡膜与所述第二过渡膜之间无界面，以减小所述第一膜层与所述第二膜层之间的界面应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811438487.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
