[发明专利]一种InAlSb红外探测器表面钝化方法有效
| 申请号： | 201811438567.1 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585601B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李墨;吕衍秋;朱旭波;张利学;王郁波 | 申请（专利权）人： | 中国空空导弹研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0216;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 471009 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种InAlSb红外探测器表面钝化方法,其步骤如下：步骤一：将InAlSb探测器芯片放入有机溶剂中浸泡；步骤二、将InAlSb探测器芯片放入酸性溶液中浸泡；步骤三：将InAlSb探测器芯片放入阳极化溶液中，设定阳极化电流并接通金属电极，当芯片表面的阻值达到设定值时，切断阳极化电源，形成阳极化膜；步骤四：清洗InAlSb探测器芯片；步骤五：放入PECVD设备中，制备介质膜。该方法可以有效降低红外探测器表面的漏电流，提高器件阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inalsb 红外探测器 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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