[发明专利]一种锑硫硒合金薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811439917.6 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109652762B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 唐江;鲁帅成;牛广达;赵洋;文西兴 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;H01L31/032 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体光电材料及薄膜领域，更具体地，涉及一种锑硫硒合金薄膜的制备方法。本发明由硒化锑粉末和单质硫粉末或者硒化锑粉末和硫化锑粉末作为蒸发源，分别放置在双温区管式炉的两个温区，通过气相转移沉积法在衬底上制得，其化学表达式为Sb |
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| 搜索关键词： | 一种 锑硫硒 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锑硫硒合金薄膜的制备方法，其特征在于，以硒化锑粉末作为第一蒸发源，以单质硫粉或硫化锑粉末作为第二蒸发源，所述第一蒸发源置于第一温区，所述第二蒸发源置于第二温区，所述第一温区的工作温度高于所述第一蒸发源的熔点温度，所述第二温区的工作温度高于所述第二蒸发源的熔点温度，在低于5Pa的真空度下，分别在第一温区和第二温区的工作温度下，加热所述第一蒸发源和第二蒸发源，在衬底上通过气相沉积形成锑硫硒合金薄膜。
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