[发明专利]气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法

摘要

本发明实施例涉及气体簇射头、成膜设备以及用于形成半导体结构的方法。根据本发明的一些实施例，一种成膜设备包含反应室、安置于所述反应室内部并经配置以支撑衬底的底座，及在所述底座上方的气体簇射头。所述气体簇射头包含多个第一孔及安置于所述气体簇射头的圆周与所述第一孔之间的多个第二孔。所述第一孔经布置以形成第一图案且经配置以在所述衬底上形成材料膜的第一部分。所述第二孔经布置以形成第二图案且经配置以在所述衬底上形成所述材料膜的第二部分。所述第二图案的孔密度大于所述第一图案的孔密度。

主权项

1.一种气体簇射头，其包括：板；多个中心孔，其具有第一孔密度，所述多个中心孔安置于所述板的中心区域中且经配置以形成材料膜的第一部分；及多个周边孔，其具有大于所述第一孔密度的第二孔密度，在所述板的周边区域中，且经配置以形成所述材料膜的第二部分，其中所述材料膜的所述第一部分包括对应于所述中心区域中的所述第一孔密度的第一厚度，且所述材料膜的所述第二部分包括对应于所述周边区域中所述第二孔密度并大于所述第一厚度的第二厚度。