[发明专利]一种应用于半导体领域的氧化钇涂层的制备方法在审
| 申请号： | 201811440872.4 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109468575A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 徐俊阳;郑广文;王嘉雨;李加;郁忠杰 | 申请（专利权）人： | 沈阳富创精密设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C4/134 | 分类号： | C23C4/134;C23C4/11 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 俞鲁江 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用于半导体领域的氧化钇涂层的制备方法，该技术制备的制备采用大气等离子喷涂。该涂层的制备方法主要包括以下步骤：(1)将零件的无喷涂区域进行遮蔽；(2)利用大气等离子喷涂技术制备氧化钇涂层；(3)将遮蔽保护去除，清洗零件。采用该方法获得的氧化钇涂层具有高致密性、高耐腐性、高结合力以及高显微硬度，涂层的综合性能良好，可有效提高零部件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化钇涂层 大气等离子喷涂 半导体领域 高显微硬度 高结合力 高致密性 喷涂区域 清洗零件 使用寿命 遮蔽保护 综合性能 耐腐性 去除 遮蔽 应用 零部件 | ||
【主权项】：
1.一种应用于半导体领域的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，该涂层制备方法主要包括以下几个步骤：1)对喷涂前的零件进行喷砂，并将未喷涂区域进行遮挡保护；2)用大气等离子喷涂工艺向基体喷涂氧化钇涂层；3)喷涂后，将遮挡保护去掉，清洗零部件，保证零件洁净度。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
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