[发明专利]一种光电探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201811441933.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109742183B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;亨利·H·阿达姆松;熊文娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/105;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路工艺技术领域，尤其涉及一种光电探测器及其制作方法，该方法包括：在第一衬底上沉积SiN波导传输层，形成第一结构；在第二衬底上制作PIN器件结构层，形成第二结构；将第二结构的PIN器件结构层与第一结构的SiN波导传输层连接；去掉第二衬底，在PIN器件结构层上制作PIN结构，形成光电探测器，其中，传输层上形成有波导结构，通过采用SiN作为传输层来设置波导结构，降低了该SiN波导传输层的波导结构在光传输过程中的损耗，提高了该光探测器的光传输的效率；进一步，还通过分别制备第一结构和第二结构，再连接SiN波导传输层和PIN器件结构层，解决了SiN上不易生长PIN器件结构层的问题，提供了一种含SiN的传输层上制备PIN结构的新工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电探测器的制作方法，其特征在于，包括：在第一衬底上沉积SiN波导传输层，形成第一结构；在第二衬底上制作PIN器件结构层，形成第二结构；将所述第二结构的PIN器件结构层与所述第一结构的所述SiN波导传输层连接；去掉所述第二衬底，在所述PIN器件结构层上制作PIN结构，形成光电探测器，其中，所述SiN波导传输层上形成有波导结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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