[发明专利]一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811442619.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109518026A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张俊雄;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料，由碳化硅泡沫陶瓷、SiC纳米线、BN界面层，碳化硅和铝合金组成，其特征在于SiC纳米线原位生长在碳化硅泡沫陶瓷中，BN界面层包覆在SiC纳米线和碳化硅泡沫陶瓷表面，碳化硅和铝合金填充在碳化硅泡沫陶瓷内部和表层；碳化硅泡沫陶瓷密度为0.3~0.6g/cm3，孔隙率为70~90%，孔密度为15~35PPI；SiC纳米线直径为50~200nm，长度为0.5~3mm；BN界面层厚度为0.05~0.3μm；碳化硅粉粒径为0.5~1μm，纯度为97~99%。本发明采用SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料，制备工艺周期短，易于实现；充分发挥SiC纳米线的增韧补强和改善界面结合的作用，提高了铝碳化硅复合材料的断裂韧性和抗冲击性能等。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅泡沫陶瓷 铝碳化硅复合材料 界面层 铝合金 碳化硅 抗冲击性能 碳化硅粉粒 断裂韧性 界面结合 原位生长 增韧补强 制备工艺 孔隙率 包覆 填充 制备 | ||
【主权项】：
1.一种SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料，由碳化硅泡沫陶瓷，SiC纳米线、BN界面层、碳化硅和铝合金组成，其特征在于SiC纳米线原位生长在碳化硅泡沫陶瓷中，BN界面层包覆在SiC纳米线和碳化硅泡沫陶瓷表面，碳化硅和铝合金填充在碳化硅泡沫陶瓷内部和表层；碳化硅泡沫陶瓷密度为0.3~0.6g/cm3，孔隙率为70~90%，孔密度为15~35PPI；SiC纳米线直径为50~200nm，长度为0.5~3mm；BN界面层厚度为0.05~0.3μm；所述的碳化硅呈颗粒状，粒径为0.5~1μm，纯度为97~99%。
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