[发明专利]用于等离子体损伤检测的半导体器件及其检测方法、形成方法

摘要

一种用于等离子体损伤检测的半导体器件及其检测方法、形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；金属层间介质层，所述金属层间介质层内形成有成对的第一金属互连结构与第二金属互连结构，以及成对的第三金属互连结构与第四金属互连结构；TSV刻蚀沟槽；第一测量衬垫、第二测量衬垫、第三测量衬垫和第四测量衬垫；其中，所述的第一测量衬垫与第二测量衬垫用于测量所述第一金属互连结构与第二金属互连结构之间的电容，所述第三测量衬垫与第四测量衬垫用于测量所述第三金属互连结构与第四金属互连结构之间的电容。本发明方案可以确定所述等离子体刻蚀工艺对所述半导体器件的损伤，有助于提高半导体器件的品质。

主权项

1.一种用于等离子体损伤检测的半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；金属层间介质层，位于所述半导体衬底的正面，所述金属层间介质层内形成有成对的第一金属互连结构与第二金属互连结构，以及成对的第三金属互连结构与第四金属互连结构；TSV刻蚀沟槽，位于所述第一金属互连结构和第二金属互连结构之间的金属层间介质层内，且所述TSV刻蚀沟槽暴露出所述第一金属互连结构的至少一部分和/或所述第二金属互连结构的一部分；第一测量衬垫、第二测量衬垫、第三测量衬垫和第四测量衬垫，位于所述半导体衬底的背面，所述第一测量衬垫与所述第一金属互连结构电连接，第二测量衬垫与所述第二金属互连结构电连接，第三测量衬垫与所述第三金属互连结构电连接，所述第四测量衬垫与所述第四金属互连结构电连接；其中，所述的第一测量衬垫与第二测量衬垫用于测量所述第一金属互连结构与第二金属互连结构之间的电容，所述第三测量衬垫与第四测量衬垫用于测量所述第三金属互连结构与第四金属互连结构之间的电容。