[发明专利]桥接器中枢拼接架构在审
| 申请号： | 201811444489.6 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994435A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | A.P.科林斯;D.A.劳拉恩;W.戈梅斯;R.V.马哈詹;S.沙兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/535;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了使用被嵌入、部署或以其它方式集成到半导体封装衬底中的多管芯互连桥接器，来导电地耦合在半导体封装中所包括的至少三个半导体管芯的系统和方法。多管芯互连桥接器是包括诸如导体、电阻器、电容器和电感器的无源电子组件的无源装置。多管芯互连桥接器将至少三个半导体管芯中所包括的每个半导体管芯可通信地耦合到其余至少三个半导体管芯的至少一些中的每个。多管芯互连桥接器占用半层体封装衬底的表面上的第一区域。耦合到多管芯互连桥接器120的至少三个半导体管芯中的最小管芯占用半导体封装衬底的表面上的第二区域，其中第二区域大于第一区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体管芯 多管芯 互连桥 接器 第二区域 第一区域 耦合到 半导体 电容器 无源电子组件 占用 半导体封装 导体 方式集成 无源装置 耦合 导电地 电感器 电阻器 可通信 桥接器 半层 小管 拼接 中枢 嵌入 架构 部署 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，包括：具有通过某个厚度所分隔的第一表面和横向相对的第二表面的半导体封装衬底；耦合到所述半导体封装衬底的至少三个半导体管芯；其中所述至少三个半导体管芯中的最小管芯占用所述半导体封装衬底的所述第一表面上的第一物理区域；以及多管芯互连桥接器，所述多管芯互连桥接器包含部署在所述半导体封装衬底的所述第一表面附近并且占用所述半导体封装衬底的所述第一表面的第二物理区域的一个或多个导电构件；其中所述多管芯互连桥接器将所述至少三个半导体管芯的每个导电地耦合到其余所述至少三个半导体管芯的每个；以及其中被所述多管芯互连桥接器所占用的所述第二物理区域小于所述至少三个半导体管芯中的最小管芯的所述第一物理区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811444489.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储器封装件
- 下一篇：具有集成电气功能的基于PCB的半导体封装
