[发明专利]场效应管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811445475.6 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109860287B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郑小平;叶振强;孙振源;欧湛;李志杰;刘佳明;李佳 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 孙岩 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场效应管，包括衬底、石墨烯层以及栅介质层。衬底包括六方氮化硼层。石墨烯层包括相对的第一表面和第二表面。第一表面与六方氮化硼层接触。第二表面包括氢化区。栅介质层覆盖于氢化区。场效应管通过设置六方氮化硼层作为石墨烯层的衬底，可以改善衬底与石墨烯层的接触。因为六方氮化硼与石墨烯的单层结构相似，两者的晶格匹配度高，且六方氮化硼层的表面光滑平整无陷阱。六方氮化硼层可以有效降低石墨烯层与衬底的接触不佳对载流子迁移率的负面影响，有利于增加石墨烯层的载流子迁移率，从而增加截止频率。同时，石墨烯层通过氢化区与栅介质层接触可以进一步减少栅介质层因为接触不佳对载流子迁移率的负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应管，其特征在于，包括：衬底(100)，包括六方氮化硼层(110)；石墨烯层(200)，包括相对的第一表面(210)和第二表面(220)，所述第一表面(210)与所述六方氮化硼层(110)接触，所述第二表面(220)包括氢化区(222)；以及栅介质层(300)，覆盖于所述氢化区(222)。
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