[发明专利]一种减少单晶叶片平台疏松缺陷的工艺方法有效
| 申请号： | 201811446304.5 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109351951B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 姜卫国;肖久寒;李凯文;楼琅洪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B22D27/04 | 分类号： | B22D27/04;C30B11/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种减少单晶叶片平台疏松缺陷的工艺方法，其特征在于：将叶片平台高处位置置于靠近模壳中心的位置，平台低处位置靠近定向凝固炉的炉壁处，利用横向梯度降低方向与枝晶间补缩方向相反的原理，平台高处先凝固，保证其枝晶间得到叶身处合金液的补缩，从而避免高处平台产生表面凝固疏松，以提高单晶叶片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 叶片 平台 疏松 缺陷 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少单晶叶片平台疏松缺陷的工艺方法，其特征在于：将叶片平台高处位置置于靠近模壳中心直浇道的位置，平台低处位置靠近定向凝固炉的炉壁处，利用横向梯度降低方向与枝晶间补缩方向相反的原理，平台高处先凝固，保证其枝晶间得到叶身处合金液的补缩，以避免高处平台产生表面凝固疏松。
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