[发明专利]具有WSA位敏结构的自供电半导体光电催化器件

摘要

具有WSA位敏结构的自供电半导体光电催化器件属于光电催化技术领域。现有半导体光电催化器件不能在日照时间的推移过程中，保持其催化净化效果始终处在最佳状态。本发明其特征在于，在P‑N+硅片的N+区表面交叉分布一组楔形阳极W和一组条形阳极S，楔形阳极W与条形阳极S之间的部分为第三阳极A，楔形阳极W、条形阳极S、第三阳极A由楔形阳极沟道、条形阳极沟道分隔；楔形阳极沟道、条形阳极沟道的沟道宽度a为100～120μm，沟道底部位于P‑区，沟道位于P‑区部分的深度b为50～120μm，在沟道底部分布半导体纳米线光电催化层，半导体纳米线光电催化层的厚度为1～2μm；P‑区至N+区掺杂浓度由稀变浓。本发明能够利用WSA位敏结构使得半导体光电催化器件跟踪日光，确保光能接收量。

主权项

1.一种具有WSA位敏结构的自供电半导体光电催化器件，其特征在于，在P‑N+硅片(1)的N+区表面交叉分布一组楔形阳极W和一组条形阳极S，楔形阳极W与条形阳极S之间的部分为第三阳极A，楔形阳极W、条形阳极S、第三阳极A由楔形阳极沟道(2)、条形阳极沟道(3)分隔；楔形阳极沟道(2)、条形阳极沟道(3)的沟道宽度a为100～120μm，沟道底部位于P‑区，沟道位于P‑区部分的深度b为50～120μm，在沟道底部分布半导体纳米线光电催化层(4)，半导体纳米线光电催化层(4)的厚度为1～2μm；P‑区至N+区掺杂浓度由稀变浓。