[发明专利]利用PN结自供电的半导体光电催化器件有效
| 申请号： | 201811446777.5 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109675542B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 母一宁;曹喆;杨继凯;肖楠;王帅;刘春阳 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学;长春市洁环光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B01J21/08 | 分类号： | B01J21/08;B01J35/02;B82Y40/00;C02F1/30;C02F1/46 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
利用PN结自供电的半导体光电催化器件属于光电催化技术领域。现有技术为了提高半导体光电催化器件的催化效率，致使结构复杂。本发明之利用PN结自供电的半导体光电催化器件其特征在于，在P |
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| 搜索关键词： | 利用 pn 供电 半导体 光电 催化 器件 | ||
【主权项】：
1.一种利用PN结自供电的半导体光电催化器件，其特征在于，在P‑N+硅片的P‑区分布若干栅条(1)，自P‑区至N+区掺杂浓度由稀变浓，栅条(1)以下的P‑区厚度为50～120μm；栅条(1)的顶面和侧面覆盖有半导体纳米线光电催化层(2)。
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