[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201811447638.4 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109872960B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 吉田幸史;奥谷学;阿部博史;安田周一;金松泰范;中井仁司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;李平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括:第一处理液供给工序,向上述基板的上表面供给第一处理液;保持层形成工序,使上述第一处理液固化或硬化,在上述基板的上表面形成颗粒保持层;保持层去除工序,将上述颗粒保持层从上述基板的上表面剥离并去除;液膜形成工序,在将上述颗粒保持层从上述基板上除去后,形成第二处理液的液膜;气相层形成工序,在上述基板的上表面与上述液膜之间形成保持上述液膜的气相层;以及液膜排除工序,通过使上述液膜在上述气相层上移动,将上述第二处理液从上述基板的上表面排除。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,其特征在于,包括:基板保持工序,水平地保持基板;第一处理液供给工序,向上述基板的上表面供给包含溶质和具有挥发性的溶剂的第一处理液;保持层形成工序,通过对上述基板加热,使上述溶剂的至少一部分从供给至上述基板的上表面的上述第一处理液挥发,从而使上述第一处理液固化或硬化,在上述基板的上表面形成颗粒保持层;保持层去除工序,通过向上述基板的上表面供给剥离上述颗粒保持层的剥离液,从上述基板的上表面剥离并去除上述颗粒保持层;液膜形成工序,从上述基板上去除上述颗粒保持层之后,通过向上述基板的上表面供给第二处理液,从而形成覆盖上述基板的上表面的上述第二处理液的液膜;气相层形成工序,通过对上述基板进行加热来使与上述基板的上表面接触的上述第二处理液蒸发,从而在上述基板的上表面与上述液膜之间形成保持上述液膜的气相层;以及液膜排除工序,通过使上述液膜在上述气相层上移动,来从上述基板的上表面排除构成上述液膜的上述第二处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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