[发明专利]电阻式随机存取存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201811447834.1 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110010179B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 池育德;邹宗成;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种存储器架构及其操作方法。存储器架构包括：多个单元阵列，每个单元阵列均包括多个位单元，其中，多个单元阵列中的每个位单元均使用相应的可变电阻介电层以在第一和第二逻辑状态之间转换；以及控制逻辑电路，连接至多个单元阵列，并且被配置为使第一信息位作为第一信息位的原始逻辑状态和第一信息位的逻辑互补逻辑状态写入一对单元阵列的相应位单元中，其中，相应的可变电阻介电层通过使用相同的沉积设备方案形成并且具有不同的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器架构，包括：多个单元阵列，每个单元阵列均包括多个位单元，其中，所述多个单元阵列中的每个位单元均使用相应的可变电阻介电层以在第一逻辑状态和第二逻辑状态之间转换；以及控制逻辑电路，连接至所述多个单元阵列，并且被配置为使第一信息位作为所述第一信息位的原始逻辑状态和所述第一信息位的逻辑互补逻辑状态写入一对单元阵列的相应位单元，其中，所述相应的可变电阻介电层通过使用相同的沉积设备方案形成并且具有不同的直径。
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