[发明专利]半导体装置和设备在审
| 申请号： | 201811448155.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109860031A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 石野英明;荻野拓海 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 宿小猛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体装置和设备。半导体层包含开口，并且，在结构之间的接合表面中，在半导体层被层叠在一起的方向上的半导体层与开口之间的部分包含多个导体部分、和在与所述方向正交的方向上位于该多个导体部分之间的绝缘体部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 半导体装置 导体 开口 绝缘体 方向正交 接合表面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：相互层叠的第一半导体层和第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一结构；和设置在第一结构和第二半导体层之间的第二结构，第一结构和第二结构相互结合，其中，第二半导体层包含开口，以及其中，在第一结构和第二结构之间的接合表面中，在第一半导体层和第二半导体层被层叠在一起的第一方向上的第一半导体层与开口之间的部分包含在与第一方向正交的第二方向上排列的第一导体部分和第二导体部分、以及包围第一导体部分和第二导体部分中的每一个以包含位于第一导体部分和第二导体部分之间的部分的绝缘体部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
