[发明专利]一种基于强耦合效应增强单层石墨烯宽带吸收的方法有效
| 申请号： | 201811450280.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109254337B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 胡国华;黄磊;邓春雨;朱渊;陈博宇;恽斌峰;张若虎;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 景鹏飞 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于强耦合效应增强单层石墨烯宽带吸收的方法，该方法选用石墨烯纳米条带阵列作为吸收层，以金属槽阵列作为衬底，并在金属槽内设置相应填充介质，通过石墨烯纳米条带阵列激发石墨烯表面等离激元共振，通过金属槽支持磁共振模式的激发，使两个模式之间强耦合所产生的杂化场集中分布在石墨烯处，最终实现增强石墨烯的宽带吸收效应；其中，使用的石墨烯纳米条带阵列仅与金属梯形槽阵列的一边缘接触，满足了激发强耦合效应要求较高品质因子石墨烯等离激元模的共振条件。本发明增强的吸收带宽覆盖在中红外波段，具有高带通、低波动、高速率等特性，可以在集成全光网络中获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 耦合 效应 增强 单层 石墨 宽带 吸收 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于强耦合效应增强单层石墨烯宽带吸收的方法，其特征在于，该方法选用石墨烯纳米条带阵列作为吸收层，以金属槽阵列作为衬底，并在金属槽内设置填充介质；通过石墨烯纳米条带阵列激发石墨烯表面等离激元共振，通过金属槽支持磁共振模式的激发，使两个模式之间强耦合所产生的杂化场集中分布在石墨烯处，最终实现增强石墨烯宽带吸收效应。
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