[发明专利]用于降低能量损耗的RF-MEMS谐振器支撑结构有效
| 申请号： | 201811450759.4 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109546986B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陈泽基;阚枭;袁泉;杨晋玲;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03H9/05 | 分类号： | H03H9/05 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种用于降低能量损耗的RF‑MEMS谐振器支撑结构，包括：支撑梁、后端支撑结构以及至少两级能量阻断结构；支撑梁与谐振器连接；后端支撑结构设置于支撑梁和基座之间，用于减小支撑梁与基座间的连接刚度，增大固‑气界面，反射向后端支撑结构两侧传输的弹性波；能量阻断结构设置在支撑梁和后端支撑结构的连接处、后端支撑结构和/或基座上，用于阻断弹性波在谐振器支撑结构中的扩散路径。本公开提供的用于降低能量损耗的RF‑MEMS谐振器支撑结构针对开发高频率高Q值谐振器的技术瓶颈，提出一种低损耗的支撑结构设计方案，在不增加工艺难度的前提下显著改善器件性能，实现高性能谐振器的批量化生产，在无线通信系统中具有更广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 能量 损耗 rf mems 谐振器 支撑 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于降低能量损耗的RF‑MEMS谐振器支撑结构，包括：支撑梁，其一端沿谐振器的边沿与谐振器连接，另一端与后端支撑结构连接；后端支撑结构，设置于所述支撑梁和基座之间，用于减小所述支撑梁与基座间的连接刚度，增大固‑气界面，反射向所述后端支撑结构两侧传输的弹性波；至少两级能量阻断结构，设置在所述支撑梁和所述后端支撑结构的连接处、所述后端支撑结构和/或基座上，用于阻断弹性波在谐振器支撑结构中的扩散路径。
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