[发明专利]一种电力电子半导体芯片终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811452377.5 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109411530A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 孟繁新;沈建华;孔梓玮;牟哲仪;蒋兴莉;胡强 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）;成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及电力电子技术领域，具体为一种电力电子半导体芯片终端结构及其制造方法。其结构包括N‑漂移区、重掺杂的P+场限环、浮空沟槽、金属导电层、多晶场板与场氧化层以及阻挡保护层。所述N‑漂移区的表面下方设有环宽周期性递减，环间距周期性递增的重掺杂的P+场限环。本发明将重掺杂的P+场限环中的重掺杂区域通过沟槽挖去并和场板结合起来，形成类似于横向变掺杂技术与场板技术相结合的终端结构以便降低注入工艺实现的难度，并且相对于传统终端可以利用较短的终端长度获得相同的耐压。无需改变现有工艺顺序，与现有工艺完全相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 终端结构 场限环 重掺杂 电力电子半导体芯片 漂移区 电力电子技术领域 金属导电层 重掺杂区域 阻挡保护层 场板技术 场氧化层 长度获得 传统终端 多晶场板 工艺实现 场板 浮空 环宽 耐压 递减 制造 掺杂 兼容 终端 递增 | ||
【主权项】：
1.一种电力电子半导体芯片终端结构，其特征在于：包括多个横向并排排列的端单元结构，所述电力电子半导体芯片的终端单元结构包括N‑漂移区衬底(110)，N‑漂移区衬底上表面设有浮空重掺杂的P+场限环组(120)、在P+场限环组(120)表面设有浮空沟槽(130)，P+场限环组(120)的终端主结(170)上方连接有金属导电层(150)，P+场限环组(120)另一端的截止环处左侧设有绝缘的场氧化层(140)，场氧化层(140)的上方两侧为多晶场板(160)，多晶场板(160)左侧与金属导电层(150)相连接，右侧与终端截止环N+连接，浮空沟槽(130)表面还覆盖有绝缘的阻挡保护层(180)。
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