[发明专利]一种在钛基体上生长二氧化钛纳米管的方法在审

专利信息
申请号: 201811453159.3 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN111254475A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 孙承林;谭向东;卫皇曌;孙文静;靳承煜;陈丽丽 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;B82Y40/00
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 王惠
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 本申请公开了一种钛基上生长二氧化钛纳米管的方法,其特征在于,包括以下步骤:(a)配制由醇类、水和Mm+xFy组成的混合电解溶液;其中,Mm+为金属阳离子,m×x=y;(b)以处理过的钛基体为阳极,将所述阳极和阴极平行置于步骤(1)所述的混合电解溶液中,保持间距,控制温度在25~45℃,电压为25~40V,氧化时间为2~6h;(c)氧化后的钛基体经清洗,并在500~800℃焙烧1~3h,得到所述钛基上生长二氧化钛纳米管。该方法制备工序较少、可操作性较高且安全,对实验室环境要求较小,可以实现二氧化钛纳米管的可控制备。
搜索关键词: 一种 基体 生长 氧化 纳米 方法
【主权项】:
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