[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片、芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811453289.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109659408B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片、芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上；所述接触层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为P型掺杂的GaN层或者N型掺杂的GaN层，所述第二子层为Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层和接触层，所述N型半导体层、所述有源层、所述P型半导体层和所述接触层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述接触层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为P型掺杂的GaN层或者N型掺杂的GaN层，所述第二子层为Bi2O2Se薄膜。
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