[发明专利]铁电存储器件在审
| 申请号： | 201811453960.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110277409A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘香根;崔容寿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11587 | 分类号： | H01L27/11587;H01L27/1159;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电存储器件。在一个实施例中，所述铁电存储器件包括半导体衬底，设置在所述半导体衬底的第一区域中的NMOS型第一铁电存储单元晶体管，以及设置在所述半导体衬底的与所述第一区域相邻的第二区域中的PMOS型第二铁电存储单元晶体管。所述第一铁电存储单元晶体管的第一栅电极层与所述第二铁电存储单元晶体管的第二栅电极层彼此电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电存储单元 晶体管 铁电存储器件 衬底 半导体 第一区域 栅电极层 第二区域 电连接 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器件，包括：半导体衬底；NMOS型的第一铁电存储单元晶体管，其设置在所述半导体衬底的第一区域中；以及PMOS型的第二铁电存储单元晶体管，其设置在所述半导体衬底的与所述第一区域相邻的第二区域中，其中，所述第一铁电存储单元晶体管的第一栅电极层与所述第二铁电存储单元晶体管的第二栅电极层彼此电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
