[发明专利]高压半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811453965.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783402A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 许健;韦维克;陈柏安;谢克·麦斯坦巴雪;戴许曼·普佳·瑞凡卓;巴提·莫尼卡;席德·内亚兹·依曼 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压半导体装置及其制造方法。该高压半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，第一高压阱设置于半导体基底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一埋层设置于第一高压阱上且具有第一导电类型，第二埋层和第三埋层设置于第一高压阱上且具有第二导电类型，其中第一埋层位于第二埋层与第三埋层之间，外延层设置于半导体基底上，其中第一埋层、第二埋层和第三埋层自半导体基底延伸至外延层内，以及源极区和漏极区设置于第一埋层上且具有第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 埋层 半导体基底 第一导电类型 导电类型 高压阱 高压半导体装置 外延层 漏极区 源极区 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：/n一半导体基底，具有一第一导电类型；/n一第一高压阱，设置于该半导体基底内且具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；/n一第一埋层，设置于该第一高压阱上且具有该第一导电类型；/n一第二埋层和一第三埋层，设置于该第一高压阱上且具有该第二导电类型，其中该第一埋层位于该第二埋层与该第三埋层之间；/n一外延层，设置于该半导体基底上，其中该第一埋层、该第二埋层和该第三埋层自该半导体基底延伸至该外延层内；以及/n一源极区和一漏极区，设置于该第一埋层上且具有该第二导电类型。/n
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