[发明专利]阻变存储器测试方法以及测试装置有效
| 申请号： | 201811455054.1 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109273044B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 赵美然;吴华强;高滨;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C29/10 | 分类号： | G11C29/10;G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种阻变存储器测试方法以及测试装置。该测试方法包括至少一个测试周期。在每个测试周期中对阻变存储器进行循环测试操作和采样操作；循环测试操作包括多个周期，每个周期包括复位操作和置位操作，复位操作被配置为对阻变存储器施加复位电压以使得阻变存储器处于高阻态，置位操作被配置为对阻变存储器施加置位电压以使得阻变存储器处于低阻态；采样操作被配置为读取阻变存储器的电阻值。该测试方法以及测试装置可以提高阻变存储器耐久性测试的测试速度，并且还可以精确控制耐久性测试过程中低阻态和高阻态的阻值区间，适用于包括模拟型阻变存储器在内的各种阻变存储器的耐久性测试。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 测试 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器测试方法，包括至少一个测试周期；其中，在每个所述测试周期中对所述阻变存储器进行循环测试操作和采样操作；所述循环测试操作包括多个周期，每个周期包括复位操作和置位操作，所述复位操作被配置为对所述阻变存储器施加复位电压以使得所述阻变存储器处于高阻态，所述置位操作被配置为对所述阻变存储器施加置位电压以使得所述阻变存储器处于低阻态；所述采样操作被配置为读取所述阻变存储器的电阻值。
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