[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

摘要

本发明实施例公开了一种半导体器件及形成方法，该半导体器件包括：半导体结构，半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻第一区域之间的第二区域；位于第二区域的沟槽；位于沟槽内的隔离结构，隔离结构包括：位于沟槽表面的绝缘层以及位于绝缘层背离沟槽一侧的信号阻挡层，信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；从而利用金属层对半导体结构中相邻第一区域中间深度较浅的区域进行信号隔离，提高相邻第一区域中间深度较浅的区域的信号隔离效果，进而缓解半导体器件中不同区域的信号串扰现象，并利用第一氧化物层对相邻第一区域中间深度较深区域进行信号隔离，解决现有工艺无法实现深度较深区域的金属沉积的问题。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构，所述半导体结构包括至少两个相邻的第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域；位于所述第二区域的沟槽；位于所述沟槽内的隔离结构，所述隔离结构包括：位于所述沟槽表面的绝缘层以及位于所述绝缘层背离所述沟槽一侧的信号阻挡层，所述信号阻挡层包括沿第一方向层叠的第一氧化物层和金属层；其中，所述第一方向平行于所述沟槽的深度延伸方向。