[发明专利]半导体器件及其形成方法、切割方法在审
| 申请号： | 201811455757.4 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109585480A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 宋闯;黄高;田茂 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法、切割方法，半导体器件包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一面和第二面，所述器件晶圆包括多个第一器件区和位于相邻第一器件区之间的第一划片槽区；承载晶圆，所述承载晶圆包括多个第二器件区和位于相邻第二器件区之间的第二划片槽区，所述承载晶圆包括第三面，所述承载晶圆第三面与器件晶圆第二面键合，相互键合的器件晶圆和承载晶圆，所述第二划片槽区投影在第一面表面的图形位于第一划片槽区内，并且所述第二器件区投影在第一面表面的图形位于第一器件区内；位于器件晶圆第一划片槽区内的第一隔离结构；位于承载晶圆第二划片槽区内的第二隔离结构。所述半导体器件的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 划片槽 器件区 半导体器件 承载 隔离结构 第二面 键合 投影 切割 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一面和第二面，所述器件晶圆包括多个第一器件区和位于相邻第一器件区之间的第一划片槽区；承载晶圆，所述承载晶圆包括多个第二器件区和位于相邻第二器件区之间的第二划片槽区，所述承载晶圆包括第三面，所述承载晶圆第三面与器件晶圆第二面键合，相互键合的器件晶圆和承载晶圆，所述第二划片槽区投影在第一面表面的图形位于第一划片槽区内，并且所述第二器件区投影在第一面表面的图形位于第一器件区内；位于器件晶圆第一划片槽区内的第一隔离结构；位于承载晶圆第二划片槽区内的第二隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
