[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和分别位于所述核心区相对两侧的第一阶梯区和第二阶梯区，且所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层；处理所述堆叠层而在所述第一阶梯区形成第一阶梯结构，且在所述第二阶梯区形成第二初始阶梯结构，所述第一阶梯结构和所述第二初始阶梯结构位于所述堆叠层在厚度方向上的第一部分；在所述第一阶梯区和所述核心区上覆盖掩模层；以及处理所述第二阶梯区的堆叠层而使所述第二初始阶梯结构的深度下降，形成第二阶梯结构，所述第二阶梯结构位于所述堆叠层在厚度方向上的第二部分，其中所述第二部分位于所述第一部分之下。

主权项

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和分别位于所述核心区相对两侧的第一阶梯区和第二阶梯区，且所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层；处理所述堆叠层而在所述第一阶梯区形成第一阶梯结构，且在所述第二阶梯区形成第二初始阶梯结构，所述第一阶梯结构和所述第二初始阶梯结构位于所述堆叠层在厚度方向上的第一部分；在所述第一阶梯区和所述核心区上覆盖掩模层；以及处理所述第二阶梯区的堆叠层而使所述第二初始阶梯结构的深度下降，形成第二阶梯结构，所述第二阶梯结构位于所述堆叠层在厚度方向上的第二部分，其中所述第二部分位于所述第一部分之下。