[发明专利]在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用在审
| 申请号： | 201811456891.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261509A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 钱炜彬 | 申请（专利权）人： | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用。该在硅基体中蚀刻沟槽的方法包括：在硅基体的上表面上形成保护图案；利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，在实现较窄的沟槽宽度时也可以得到需求的沟槽深度，所形成的沟槽接近垂直、无损伤、平坦光滑，且纵横比高。 | ||
| 搜索关键词： | 基体 蚀刻 沟槽 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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