[发明专利]一种形成浅沟槽隔离结构的方法在审
| 申请号： | 201811458511.2 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109360806A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 赵加硕;孙超;王明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括以下过程：提供半导体衬底，半导体衬底背面上形成有氧化层；通过炉管工艺在半导体衬底正面上形成第一氮化物层，在氧化层上形成第二氮化物层；对半导体衬底的正面进行刻蚀以在半导体衬底中形成浅沟槽；对浅沟槽进行绝缘介质填充，以形成浅沟槽隔离结构；以及通过湿法刻蚀工艺去除第一氮化物层和第二氮化物层。本发明具有提高厚栅氧层厚度的均匀性以及提高CMOS图像传感器件中的I/O器件运行速度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物层 半导体 浅沟槽隔离结构 衬底 浅沟槽 氧化层 绝缘介质填充 衬底背面 衬底正面 湿法刻蚀 层厚度 厚栅氧 均匀性 刻蚀 炉管 去除 | ||
【主权项】：
1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括以下过程：提供半导体衬底，所述半导体衬底背面上形成有氧化层；通过炉管工艺在所述半导体衬底正面上形成第一氮化物层，在所述氧化层上形成第二氮化物层；对所述半导体衬底的正面进行刻蚀以在所述半导体衬底中形成浅沟槽；对所述浅沟槽进行绝缘介质填充，以形成浅沟槽隔离结构；以及通过湿法刻蚀工艺去除所述第一氮化物层和第二氮化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
