[发明专利]酸槽式湿法刻蚀工艺有效
| 申请号： | 201811458540.9 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109560025B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孙兴 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种酸槽式湿法刻蚀工艺，包括：进行酸槽换酸后第一次酸槽刻蚀；根据酸槽中小换酸的周期内累计处理的硅片的数量计算刻蚀速率；根据计算的刻蚀速率和硅片的薄膜的刻蚀量获得工艺时间，通过量测后值和工艺时间获得实际刻蚀速率从第二次酸槽刻蚀开始，根据上一次计算的刻蚀速率和实际的刻蚀速率调节此次工艺刻蚀的速率。在本发明的酸槽式湿法刻蚀工艺中，通过小换酸的周期内累计处理的硅片的数量计算刻蚀工艺中每一批硅片的刻蚀速率，减少小换酸前后实际刻蚀速率的突变对工艺控制的计算的影响，最终提高工艺控制的准确度，可以实现硅片的连续刻蚀作业。 | ||
| 搜索关键词： | 酸槽式 湿法 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种酸槽式湿法刻蚀工艺，其特征在于，包括：进行第一次酸槽刻蚀；根据酸槽中小换酸的周期内累计处理的硅片数量计算刻蚀速率；根据计算的刻蚀速率和硅片的薄膜的刻蚀量获得工艺时间；进行第一次酸槽刻蚀，根据第一次工艺刻蚀时间和第一次刻蚀掉的硅片的薄膜的值获得实际的刻蚀速率；从第二次酸槽刻蚀开始，根据上一次计算的刻蚀速率和实际的刻蚀速率对比，调节此次工艺刻蚀的速率的计算。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
