[发明专利]电阻模型的建立方法有效
| 申请号： | 201811458546.6 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109543331B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 田志;李娟娟;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电阻模型的建立方法，用于自对准源极，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括存储单元区域和非存储单元区域；对所述存储单元区域建立第一电阻模型；对所述非存储单元区域建立第二电阻模型；将所述第一电阻模型和所述第二电阻模型复合得到对应所述半导体衬底的第三电阻模型。由此，建立的所述第三电阻模型能够得到精确的电阻与版图的关系，且避免了由于自对准源极电阻是非均匀电阻而得到的电阻模型中呈现出单位长度电阻值随电阻宽度的增大而增大的不合理之处，优化原有的方块电阻定义，从而可以提高整体自对准源极电阻性能的模拟精度和对于后续缩减单元性能预测的准确性，更进一步提高晶片整体的擦除均匀性和产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻模型的建立方法，用于自对准源极电阻，其特征在于，所述电阻模型的建立方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括存储单元区域和非存储单元区域；对所述存储单元区域建立第一电阻模型；对所述非存储单元区域建立第二电阻模型；将所述第一电阻模型和所述第二电阻模型复合，以得到对应所述半导体衬底的第三电阻模型。
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