[发明专利]一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法及系统有效
| 申请号： | 201811458548.5 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109541321B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法及系统，该方法包括：步骤S1，于MOS晶体管的栅极施加扫描电压Vg；步骤S2，确定MOS晶体管的测试频率；步骤S3，于MOS晶体管的栅极施加设定频率的小信号交流电；步骤S4，测量MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；步骤S5，按设定步长增加扫描电压Vg并测量MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；步骤S6，判断扫描电压Vg是否到达预设电压值，于到达预设电压值时，进入S7；步骤S7，判断栅极小信号电容Cgg与Vg关系曲线是否与正常模型相符，以确定是否返回S2进行重新测量，若相符则结束测量，否则进入步骤S8，将测试频率降低一个数量级返回S2重新进行测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 栅极 信号 电容 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管栅极小信号电容测试方法，包括如下步骤：步骤S1，于MOS晶体管的栅极施加扫描电压Vg；步骤S2，确定该MOS晶体管的测试频率；步骤S3，于该MOS晶体管的栅极施加设定频率的小信号交流电；步骤S4，测量该MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；步骤S5，按设定步长增加扫描电压Vg并测量该MOS晶体管的栅极小信号电容Cgg；步骤S6，判断该扫描电压Vg是否到达预设电压值，于到达预设电压值时，进入步骤S7；步骤S7，判断该栅极小信号电容Cgg是否与正常模型相符，以确定是否返回步骤S2进行重新测量。
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