[发明专利]MOCVD装置在审
申请号: | 201811458783.2 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN111254415A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 庞云玲;南建辉;丁建 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/30 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种MOCVD装置,包括:壳体;承载组件,承载组件位于壳体内,承载组件包括支撑托盘和承载单元,承载单元用于承载基片,承载单元为多个,多个承载单元相间隔地分布在支撑托盘上;喷淋组件,喷淋组件设置在壳体内并位于承载组件的上方,喷淋组件包括上支撑盖和喷淋单元,喷淋单元用于喷淋混合反应气,喷淋单元为多个,多个喷淋单元相间隔地设置在上支撑盖上并与多个承载单元一一对应设置;各喷淋单元向与其相对应的一个承载单元喷射混合反应气,以使混合反应气在承载单元承载的基片上反应形成化合物薄膜。本发明提供的MOCVD装置能够实现高产能、高质量的化学反应,提升化合物薄膜的生产效率,获得高良率的化合物薄膜。 | ||
搜索关键词: | mocvd 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的