[发明专利]源漏极离子注入方法及注入系统有效
| 申请号： | 201811460106.4 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109585282B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李勇;董卫一鸣 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种源漏极离子注入方法及注入系统，所述注入方法包括：建立机台及在制品信息表；在当前批次晶圆的下一处理工序为执行源漏极离子注入的工序情况下，执行寻找可以采用连续注入工序对晶圆进行源漏极离子注入的离子注入机台；对找到的离子注入机台进行设定，将分层次注入工序整合成连续注入工序；根据找到的离子注入机台以及待执行源漏极离子注入工艺的晶圆形成第一派工列表；根据第一派工列表将晶圆对应分配至所述离子注入机台；以及离子注入机台根据所述连续注入工序对晶圆进行源漏极离子注入。本发明将上述形成N阱的离子注入工艺过程在同一台离子注入机台中完成，实现了源漏极的连续注入，减少晶圆缺陷的产生，降低良率损失。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏极 离子 注入 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种源漏极离子注入方法，其特征在于，包括：建立机台及在制品信息表；在当前批次晶圆的下一处理工序为执行源漏极离子注入的工序情况下，执行寻找可以采用连续注入工序对所述晶圆进行源漏极离子注入的离子注入机台；对找到的离子注入机台进行设定，将分层次注入工序整合成连续注入工序；根据找到的离子注入机台以及待执行源漏极离子注入工艺的晶圆形成第一派工列表；根据第一派工列表将晶圆对应分配至所述离子注入机台；以及所述离子注入机台根据所述连续注入工序对晶圆进行源漏极离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
