[发明专利]半导体结构的互连方法与半导体互连结构

摘要

本公开提供一种用于半导体互连结构的互连方法与半导体互连结构。互连方法包括：提供堆叠结构，堆叠结构包括多层键合的晶圆，每层晶圆的上表面设置有重布线层，重布线层包括多条金属导线；对堆叠结构垂直制作具有第一直径和第一长度的第一盲孔，第一盲孔在每层晶圆中的穿透位置位于金属导线之间，且第一直径小于金属导线的间距；以第一盲孔的中心为圆心制作具有第二直径和第一长度的第二盲孔，以使第二盲孔的侧壁露出金属导线，第二直径大于金属导线之间的间距；填充导电材料于第二盲孔。本公开的互连方法可以通过一次掩模刻蚀制程制作使堆叠结构中各层晶圆或芯片进行电连接的半导体互连结构。