[发明专利]一种抛光硅片清洗干燥工艺有效
| 申请号： | 201811462122.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261495B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘云霞;史训达;李彦君;林霖;徐继平;王磊;李俊峰;李奇;杨少昆;程凤伶 | 申请（专利权）人： | 有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抛光硅片清洗干燥工艺，包括：步骤S1：干燥槽注满高纯水并溢流5‑10s，高纯水的电阻率大于18MΩ·cm；步骤S2：用机械手将装有1‑50片相同直径抛光硅片的两篮四氟花篮放到干燥槽底部的支架上，该支架包含四氟花篮定位卡槽部分与硅片支撑部分；步骤S3：快排，快排时间控制在8‑15s。步骤S4：在50s内向干燥槽内注满高纯水，并溢流5‑10s；步骤S5：将经常温氮气雾化后的异丙醇注入干燥内；步骤S6：慢排；步骤S7：快排；步骤S8：停止注入异丙醇，热氮气干燥抛光硅片与四氟花篮；步骤S9：将装有抛光硅片的四氟花篮移出干燥槽。采用本发明可实现在同一干燥槽内干燥两种不同直径的抛光硅片，大幅提高清洗机的使用效率，降低清洗工序的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 硅片 清洗 干燥 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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