[发明专利]一种用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法有效
| 申请号： | 201811462149.6 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109647232B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 成会玲;胡德琼;刘迎梅;赵莉;陈树梁;谢嘉轩;字富庭;胡显智 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | B01D71/40 | 分类号： | B01D71/40;B01D69/02;B01D69/12;B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30 |
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| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用N‑甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法，属于膜材料制备科学技术领域。本发明所述方法以Co(II)为模板离子，N‑甲基吡咯烷基丙烯酰胺为功能单体，乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂，偶氮二异丁腈为引发剂，通过金属离子印迹技术和膜技术相结合，制备钴(II)离子印迹复合膜Co(II)‑MICM。本发明制备得到的钴(II)离子印迹复合膜稳定性高，对钴(II)离子具有较好的特异性吸附能力和印迹效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 甲基 吡咯 烷基 丙烯酰胺 制备 ii 离子 印迹 复合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用N‑甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤(1)：将钴（II）离子完全溶解在致孔溶剂中，加入N‑甲基吡咯烷基丙烯酰胺，室温振荡(2～3h)混匀，加入交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯和引发剂偶氮二异丁腈，摇匀，超声5～10min，形成预聚合溶液；所述钴（II）离子、N‑甲基吡咯烷基丙烯酰胺、乙二醇二甲基丙烯酸酯的摩尔比为1:(2～8):(10～50)；步骤(2)：将基膜置于步骤（1）得到的预聚合溶液中，室温浸泡3~30min，最后50~70℃反应12~24h，形成钴离子印迹复合膜也就是Co(II)‑MICM；步骤(3)：将步骤（2）得到的钴离子印迹复合膜Co(II)‑MICM用体积比为9:1的甲醇和醋酸混合溶液洗脱模板离子，再用甲醇洗至中性，真空干燥24h得到洗脱后的钴离子印迹复合膜Co(II)‑MICM。
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